碳化硅行業(yè)是一個極具潛力的行業(yè),碳化硅材料具備更高效率和功率密度,在光伏、新能源車和5G通信領(lǐng)域應(yīng)用優(yōu)勢明顯,其涉及的產(chǎn)品多樣化,產(chǎn)業(yè)鏈深入,應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,具有良好的市場發(fā)展前景。
此外,碳化硅行業(yè)的市場也在不斷擴(kuò)大,在新能源、汽車、航空航天、新材料等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛,也為行業(yè)的發(fā)展提供了良好的發(fā)展空間。
從長遠(yuǎn)來看,隨著中國經(jīng)濟(jì)的持續(xù)發(fā)展,碳化硅行業(yè)將迎來一個更加廣闊的市場,在未來,中國碳化硅行業(yè)的市場規(guī)模將持續(xù)增長,并將有望實現(xiàn)更高的發(fā)展水平。
根據(jù)研精畢智發(fā)布的最新行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,2022年全球碳化硅器件的市場規(guī)模約為7億美元,較上年同期相比增加2億美元,同比增長40%,2023年行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)進(jìn)一步上升的趨勢,達(dá)到約9億美元,同比增長28.6%,隨著碳化硅行業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,預(yù)測未來幾年市場增速較為可觀,到2025年將增長至15億美元,年平均增長率約為16.7%。
在碳化硅的市場產(chǎn)量方面,2022年全球市場總產(chǎn)量約為170萬噸,較上年同期相比增加40萬噸左右,同比增長30.1%,其中黑碳化硅和綠碳化硅分別占比64%和36%;2023年全球碳化硅市場產(chǎn)量增長至210萬噸左右,同比增長23.5%,黑碳化硅和綠碳化硅分別約占69%和31%。
在碳化硅器件市場成本結(jié)構(gòu)中,目前襯底的市場比重最高,占據(jù)市場主要地位碳化硅,2023年約占49%;其次是外延、前段和研發(fā)費(fèi)用分別占比22%、18%和7%,其他類型的市場成本占比合計為4%左右。
隨著新能源等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,對碳化硅等功率器件的需求持續(xù)增長,從行業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域來看,2022年以新能源領(lǐng)域占比最高,約為62%,光伏發(fā)電和智能電網(wǎng)的占比分別為17%和11%,其他應(yīng)用領(lǐng)域占比合計為10%左右,預(yù)測新能源領(lǐng)域的比重有望繼續(xù)提高
長晶設(shè)備龍頭:在碳化硅領(lǐng)域,公司產(chǎn)品主要有碳化硅長晶、拋光、外延設(shè)備以及6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片;公司已成功生長出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體,并建設(shè)了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋節(jié)的研發(fā)實驗線,實驗線產(chǎn)品已通過下游部分客戶驗證,公司面向市場提供碳化硅外延設(shè)備,設(shè)備已實現(xiàn)批量銷售
我國功率半導(dǎo)體領(lǐng)域代表企業(yè);公司構(gòu)建了全套特色先進(jìn)碳化硅工藝技術(shù)的4英寸及6英寸兼容的專業(yè)碳化硅芯片制造平臺,開發(fā)了750V-3300V的SiC器件,全電壓等級MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、工業(yè)傳動等多個領(lǐng)域
國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體村底材料生產(chǎn)商;主要從事碳化硅襯底的研產(chǎn)銷,主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底,6英寸產(chǎn)品已送樣至多家國內(nèi)外知名客戶;公司自主研發(fā)出半絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)品,實現(xiàn)我國核心戰(zhàn)略材料的自主可控,市占率連續(xù)三年保持全球前三
碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈龍頭:公司電力電子產(chǎn)品主要為高功率密度碳化硅二極管、MOSFET及硅基氮化家產(chǎn)品;湖南三安碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包括長晶一村底制作一外延生長一芯片制備一封裝,碳化硅產(chǎn)能6.000片/月,碳化硅襯底已向多家國際大廠送樣驗證,已獲得客戶的驗證通過并實現(xiàn)銷售
公司在功率半導(dǎo)體硅基器件和碳化硅器件領(lǐng)域均是基于供應(yīng)鏈自主可控的戰(zhàn)略進(jìn)行布局目前已賈蓋包括外延生產(chǎn)、晶圓加工、超薄片背道減薄、芯片設(shè)計等關(guān)鍵環(huán)節(jié):22年1月,完成定增募資5億元,將用于投資建設(shè)碳化硅功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目
公司具備的SiC MOSFET芯片設(shè)計能力和自主的工藝技術(shù)平臺,已推出1200V60mohm SiC MOSFET樣品,已通過相關(guān)電性能測試評估及可靠性考核,產(chǎn)品綜合特性達(dá)到國際先進(jìn)水平,公司持有常州臻晶11.1111%的股權(quán),常州臻晶專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅( Sic)液相法體的研產(chǎn)銷
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